Strony związane z hasłem 'tabliczki ostrzegawcze':

Sortuj po:

  • Opisy technologiczne »

    Istnieje pięć sposobów wyzwalania elektronów z powierzchni metali: 1) emisja termoelektronowa (termoemisja), 2) emisja autoelektronowa, 3) emisja wtórna, 4) emisja fotoelektronowa oraz 5) rozpad promieniotwórczy. Pewne materiały promieniotwórcze wyrzucają elektrony (promienie fi) w okresie powolnego rozpadu. Zjawisko to odgrywa ważną rolę w wielu pracach badawczych. W niektórych gazowanych lampach elektronowych z zimnymi katodami istnieje możliwość, że materiały promieniotwórcze znajdujące się wewnątrz lub w pobliżu lampy, a niekiedy i emisja fotoelektronowa stwarzają emisję wstępną potrzebną do zadziałania lampy. Metody wytwarzania emisji elektronowej zostaną omówione dalej.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Tabliczka samoprzylepna »

    Tranzystory wykonuje się z germanu (w przeważającej ilości) i z krzemu. Posiadają one dużą rozpiętość wartości znamionowych. Napięcie kolektora zmienia się w granicach od 10 V do 65 V, a prąd kolektora do 10 mA do 15 A lub jeszcze bardziej. Moc wyjściową otrzymuje się na ogół w granicach od 50 mW do 35 W lub jeszcze większą.
    Przez właściwe wykonanie oraz zaprojektowanie można poprawiać i zmieniać charakterystyki tranzystorów złączowych. Jedną ze stosowanych tu metod jest wywoływanie zmian gęstości domieszek i nośników ładunku w obszarze bazy. Powoduje to powstanie wewnętrznego pola elektrycznego, które przyśpiesza ruch elektronów w obszarze bazy. Największa dopuszczalna temperatura pracy tranzystorów germanowych wynosi około 75 °C. Ograniczenie to jest konieczne ze względu na: 1) dopuszczalną stratę ciepła elementów o małej powierzchni, 2) niepożądaną zmianę charakterystyk pracy tranzystora przy wyższych temperaturach.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Grawerowanie »

    Wzmocnienie prądowe baza-kolektor jest wykorzystywane w obwodzie wzmacniacza, gdy sygnał wejściowy doprowadza się do bazy, a nie do emitera. Do omówienie obwodu wzmacniacza przejdziemy później.
    Zasadę działania tranzystora ze złączem n-p-n można wyjaśnić na podstawie wykresów poziomów energetycznych. Przy braku zewnętrznego napięcia, w pasmach przewodnictwa obszarów typu n występują elektrony swobodne. Podobnie i w paśmie podstawowym obszaru typu p (bazy) pojawiają się dziury. Na skraju bazy istnieje opisana uprzednio bariera potencjału. Gdy do emitera i kolektora przyłożymy napięcie o właściwej biegunowości, wykres energetyczny tranzystora ze złączem n-p-n. Nastąpiło tu obniżenie bariery potencjału emiter-baza; elektrony przechodzą przez obniżoną barierę i spadają na niższy poziom, przyciągane do kolektora przez dodatnie napięcie.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »