Strony związane z hasłem 'styczniki':

Sortuj po:

1 · 2 · następna strona »
  • Falownik »

    Wszystkie metody przygotowania powierzchni mają na celu wprowadzenie do powierzchni kryształu małej ilości domieszki typu p. W ten sposób powstaje tuż pod ostrzem nowe złącze p-n. Teraz zasada prostowania ulega zmianie; prostowanie zachodzi tak jak w złączu p-n, a więc inaczej niż w uprzednio opisanym przypadku. Ze względu na wprowadzoną domieszkę typu p powyżej złącza p-n występują dziury. Dodatnie napięcie ostrza odpycha dziury w kierunku złącza p-n; po przejściu przez nie dziury przesuwają się w kierunku ujemnej bazy i łączą się z elektronami, tworząc cząstki obojętne. Podobnie i elektrony pod wpływem pola przyłożonego do złącza p-n wędrują z obszaru typu n do złącza p-n, a stąd do ostrza. Tak więc występuje tu przewodzenie przy pomocy nośników zarówno dodatnich jak i ujemnych.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis falowników Omron »

    Prostujące działanie zachodzące w złączu p-n. Gdy do zewnętrznych ścianek kryształu przyłożymy pewne napięcie r elektrony będą przyciągane w prawą, a dziury w lewą stronę, tworząc nowy rozkład nośników ładunku. Przyłożone napięcie obniża w rozpatrywanym tu przypadku naturalną barierę potencjału. Stanowi to warunek przepływu prostowanego prądu w kierunku przewodzenia; zakłada się, że prąd ten ma dużą wartość.
    Prostujące działanie zachodzące w złączu p-n. Gdy do zewnętrznych ścianek kryształu przyłożymy pewne napięcie r elektrony będą przyciągane w prawą, a dziury w lewą stronę, tworząc nowy rozkład nośników ładunku. Przyłożone napięcie obniża w rozpatrywanym tu przypadku naturalną barierę potencjału. Stanowi to warunek przepływu prostowanego prądu w kierunku przewodzenia; zakłada się, że prąd ten ma dużą wartość.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie ślimakowe »

    Oporniki z węglika krzemu stosuje się przede wszystkim w celu zabezpieczenia aparatury przed zniszczeniem na skutek nadmiernego wzrostu napięcia i powstającego w tych warunkach dużego prądu. Z tego powodu oporniki te załącza się równolegle do zabezpieczanego przy ich pomocy obiektu. Najstarsze i najczęściej spotykane zastosowanie znajdują one w odgromnikach, w celu ochrony linii przesyłowych i aparatury elektrycznej przed bezpośrednimi i pośrednimi przepięciami atmosferycznymi (piorunowymi). Drugim zadaniem oporników jest ochrona przed udarami napięciowymi (indukcyjnymi impulsami udarowymi) na cewkach z żelazem, gdy obwód jest otwarty. Oddziałują one również stabilizująco na prostowniki i obwody elektroniczne w przypadku wystąpienia w nich fal udarowych. Ogromne ilości małych elementów z węglika krzemu (tzw. warystory) znajdują się w obwodach telefonicznych i w mikrotelefonach, aby zapobiec akustycznym trzaskom wywołanym niewielkimi przepięciami.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Dobór napędów elektrycznych »

    W dostępnych w handlu komórkach fotowoltaicznych, jako półprzewodnik stosuje się selen — ze względu na bardziej stabilne wielkości charakterystyczne; dotyczy to wartości napięcia, zmian temperaturowych i zjawisk spowodowanych starzeniem. W nowoczesnych komórkach fotowoltaicznych warstwa zaporowa znajduje się nad półprzewodnikiem. Selen umieszcza się tu na żelaznej płytce i w wyniku odpowiedniego procesu formowania napyla się go cienką warstwą metalu (np. złota). W tym przypadku warstwa zaporowa znajduje się między selenem a warstwą napyloną. Taka budowa zmienia biegunowość elementu. Wy stępują tu mniejsze straty energii świetlnej zanim światło dojdzie do warstwy zaporowej; jest to zdecydowaną zaletą tych komórek. Prawdopodobnie jednak pewna część energii świetlnej przenika do tylnego złącza, wytwarzając nieznaczną przeciwdziałającą siłę elektromotoryczną.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Pomoc serwisowa falowników »

    Odkryto kilka połączeń różnych materiałów, które połączone razem w postaci zespołu płytek, wykazują własność przewodzenia jednokierunkowego. Zespoły takie składają się zazwyczaj z płytki metalowej, warstwy zaporowej oraz półprzewodnika. Warstwa zaporowa lub prostująca jest bardzo cienka; odgradza ona metal od półprzewodnika; tworzy się ją w procesie elektrochemicznym lub w wyniku obróbki cieplnej. Warstwa zaporowa dopuszcza przepływ elektronów z metalu do półprzewodnika, natomiast w kierunku wstecznym stanowi dużą oporność. Elektroda metalowa zwana elektrodą zbierającą tworzy z półprzewodnikiem połączenie metal--półprzewodnik o dużej powierzchni. Przyrządy, w jakich znajduje zastosowanie to połączenie, noszą nazwę prostowników o metalowych płytkowych, tzw. prostowników stykowych.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Serwis falowników Lenze »

    Pod pojęciem fotoelektroniki można rozumieć oddziaływanie fotonów (energii świetlnej) na atomy. Interesują nas tu trzy rodzaje zjawisk, występujących w ciałach stałych pod wpływem światła lub innych postaci fal elektromagnetycznych:
    1) Pod wpływem światła oporność ciała stałego może ulec zmianie; jest to zjawisko przewodnictwa fotoelektrycznego.
    2) Pod wpływem energii świetlnej padającej na ciało stałe nośniki mogą przekroczyć barierę potencjału i spowodować powstanie pola elektrycznego; jest to zjawisko fotowoltaiczne.
    3) Pod wpływem naświetlania powstaje emisja elektronów z powierzchni ciała stałego. Zjawisko to nosi nazwę fotoemisji.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Softstarty Danfoss »

    Zjawisko emisji elektronów dotyczy zazwyczaj metali. W metalach elektrony są luźno powiązane i biorą udział w przypadkowym ruchu zachodzącym w strukturze ciała stałego. Zbliżając się do powierzchni metalu, elektrony napotykają na swej drodze przeszkodę w postaci bariery potencjału. Przedstawia on pojedynczy szereg atomów na pewnej płaszczyźnie wewnątrz ciała stałego. Gdy elektron e porusza się w prawo wzdłuż tego szeregu, mijając jądra atomów wewnątrz ciała stałego, jego stan energetyczny podlega niewielkim zmianom. Jednak w miarę zbliżania się elektronu do powierzchni ciała, energia potrzebna do pokonania siły oddziaływania atomów macierzystych gwałtownie wzrasta. Jeśli wyobrazimy sobie, że takie działanie odbywa się nie w jednej płaszczyźnie i nie w postaci pojedynczego szeregu atomów, lecz w przestrzeni trójwymiarowej — stanie się oczywiste istnienie bariery potencjału na powierzchni ciała stałego.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Falownik hurtownia »

    Gdy zestawimy omówione wyżej zasady działania, wchodzą w grę nowe czynniki. Odgrywa tu rolę istnienie obszaru typu p (bazy) o bardzo małej grubości. Gdy elektrony dyfundują przez bazę, zaledwie nieliczne z nich ulegają rekombinacji z dziurami, a ogromna ich większość przechodzi do kolektora, gdzie zostaje zbierana. Również nieliczne elektrony z tych, które przedostają się do obszaru typu p (bazy) płyną do elektrody bazy. Powyższe czynniki sprawiają, że prąd emitera przechodzący przez złącze Je składa się z dwóch części: większa (0, 9 do 0, 985) płynie do kolektora, a pozostała część do bazy. W obwodzie kolektora nie zachodzi — tak jak w tranzystorze ostrzowym — wzmocnienie prądu emitera; rzeczywisty stosunek obu prądów jest mniejszy od jedności. Prąd w obwodzie kolektora jest wielokrotnie większy od prądu bazy. Gdy przez a oznaczymy stosunek prądu w obwodzie kolektora do prądu w obwodzie emitera (tzw. współczynnik ot).

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Sprzedaż falowników »

    Tranzystor złączowy (warstwowy) składa się z szeregu złącz p-n. Przyrząd ten podobnie jak tranzystor ostrzowy służy do wzmacniania mocy małych sygnałów wejściowych.
    Emiterem określa się obszar wprowadzający nośniki (w danym przypadku elektrony) do obszaru bazy; kolektor jest natomiast końcowym elementem tranzystora, zbierającym nośniki. W tranzystorze n-p-n do emitera przykłada się małe napięcie ujemne, zaś do kolektora — znacznie wyższe napięcie dodatnie. Rozmiary tranzystora są niewielkie. Grubość obszaru typu p (bazy) wynosi około 0, 002 cm; obszar typu n jest również stosunkowo mały.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przekładnie ślimakowe CHM »

    Zakłada się, że atomy domieszki w strukturze krystalicznej przyczyniają się do wychwytywania dziur. Przypuszcza się następnie, że poziomy energetyczne tych atomów domieszki znajdują się w pobliżu środka pasma zabronionego i że atomy te, jako stacjonarne, mogą wychwytywać na pewien okres czasu dziury (zapobiegając ich rekombinacji z elektronami). W wyniku tego procesu czyli opóźniania rekombinacji dziur, 10 000-krotnie większa ilość elektronów niż pochłoniętych fotonów może przechodzić przez kryształ.

    Data dodania: 23 12 2014 · szczegóły wpisu »
1 · 2 · następna strona »